Tionscal Déantúsaíochta Carbide Sileacain

I gcomparáid lesileacain-bhunaitheábhair leathsheoltóra, tá go leor buntáistí ag na hábhair leathsheoltóra tríú glúin arna léiriú ag chomhdhúile sileacain (SiC) mar réimse leictreach ard-bhriseadh, luas sruth leictreon ard sáithithe, agus seoltacht teirmeach ard.

Úsáidtear feistí cumhachta chomhdhúile sileacain go príomha i réimsí ardchumhachta, mar shampla feithiclí nua fuinnimh, stóráil fuinnimh fótavoltach, idirthuras iarnróid agus réimsí eile, go háirithe i réimse na bhfeithiclí. Sna blianta beaga atá romhainn, leanfaidh iarratais ar nós príomh-inverters ar bord agus modúil muirir ag fás ag luas ard.

Faoi láthair, tá fiontair intíre tar éis a n-iontráil isteach sa slabhra tionscal chomhdhúile sileacain a luathú, agus tá méadú tagtha ar chaiteachas caipitil, rud a thug fás tapa ar gach nasc den slabhra tionscail.

De réir thuarascáil Yole, beidh méid margaidh feistí cumhachta chomhdhúile sileacain níos mó ná $6 billiún i 2027, le ráta fáis bliantúil cumaisc de níos mó ná 30%.

An chumhacht atá bunaithe ar chomhdhúile sileacainÁirítear go príomha le slabhra tionscal feiste ullmhú substráit chomhdhúile sileacain in aghaidh an tsrutha, fás ciseal epitaxial, déantúsaíocht gléas lár an tsrutha agus margaí iarratais iartheachtacha.

Is éard atá i bpróiseas ullmhúcháin an tsubstráit go príomha ná púdar carbóin ard-íonachta agus púdar sileacain ard-íonachta a shintéisiú i bpúdar chomhdhúile sileacain. Faoi réimse teochta speisialta, úsáidtear an modh aistrithe gaile fisiceach (modh PVT) go príomha chun tinne criostail chomhdhúile sileacain de mhéideanna éagsúla a fhás, agus déantar an tsubstráit chomhdhúile sileacain a tháirgeadh tar éis próisis iolracha.

Tá an nasc epitaxial go príomha ar an tsubstráit chomhdhúile sileacain, agus déantar an leathán epitaxial a fhoirmiú ar dhromchla an tsubstráit trí mhodh taiscí gaile ceimiceach (CVD).

Ina measc, ullmhaítear bileog epitaxial chomhdhúile sileacain trí chiseal epitaxial chomhdhúile sileacain a fhás ar an tsubstráit chomhdhúile sileacain seoltaí, ar féidir é a dhéanamh tuilleadh i bhfeistí cumhachta agus a chur i bhfeidhm i bhfeithiclí nua fuinnimh, fótavoltach, idirthuras iarnróid, greille cliste, aeraspáis agus réimsí eile. Ullmhaítear an leathán epitaxial nítríde gailliam (GaN-on-SiC) atá bunaithe ar Silicon trí chiseal epitaxial nítríde gallium a fhás ar fhoshraith chomhdhúile sileacain leath-inslithe, ar féidir iad a ullmhú tuilleadh i bhfeistí RF micreathonn agus a chur i bhfeidhm i réimsí cumarsáide 5G.

Ó struchtúr costais déantúsaíochta feistí chomhdhúile sileacain, is é costas an tsubstráit an ceann is mó, rud a chiallaíonn 47%; Is é an dara ceann an costas sínte, cuntasaíocht do 23%. Is comhpháirteanna tábhachtacha de fheistí SiC iad an dá phróiseas seo.

Clibeanna Te: tionscal déantúsaíochta chomhdhúile sileacain, monaróirí tionscal déantúsaíochta chomhdhúile sileacain tSín, soláthraithe